基本信息
冯士维，博士，教授/博导,现任北京工业大学信息学部副主任，电子科学与技术学院（微电子学院）院长。于1983年、1986年分别获吉林大学理学学士、硕士学位。1986年任教于北京工业大学至今。1999年获北京工业大学工学博士学位。2000年至2002年先后在美国Howard大学和Rutgers大学作博士后研究。国家科技部国际合作项目评审专家，IEEE Spectrum（中文版）编委，总装备部微波毫米波器件重点实验室学术委员，IEEE Electron Device Letter，IEEE Trans. Electron Devices,“物理快报”等多家学术刊物审稿人。入选北京市科技新星计划、“百千万人才工程”国家级人选、享受国务院政府特殊津贴，北京市教学名师，曾获评北京市优秀青年教师。获得中国电子学会技术发明二等奖1项；北京市科技进步奖二等奖2项、三等奖1项；电子工业部科技进步奖三等奖1项；荣获北京市教育教学成果一等奖2项、二等奖1项。发表科学论文120余篇，其中SCI论文50余篇，授权发明专利25项。译著：《半导体器件电子学》(第2译者)，《低成本倒装焊技术》(第1译者)。
近五年内，作为负责人承担和在研的国家自然科学基金项目4项、北京市教委重点项目1项、北京市自然科学基金2项、北京市科技研发专项1项，总装基金项目1项（课题负责人），企事业委托项目15项。
近3年5篇代表性论文
（一作为本人指导的研究生）
1. Zheng X, Feng* S, et al, Evidence of GaN HEMT Schottky Gate Degradation After Gamma Irradiation.IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66: 3784-3788.
2．Zheng X, Feng* S, et al,Photocurrents in GaN-based HEMTs: Theoretical model and experimental results ,Applied Physics Letters, 2019, 21: 213505-213508.
3. Bangbing Shi, Shiwei Feng*, Yamin Zhang, Kun Bai, Yuxuan Xiao, Lei Shi, Hui Zhu, Chunsheng Guo. Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base-Collector Voltage Drop at Low Current.IEEE Transaction on Power Electronics, 2019, 34(10): 10136-10142.
4. Shi B, Feng* S, Shi L, et al. Junction Temperature Measurement Method for Power mosfets Using Turn-On Delay of Impulse Signal[J].IEEE Transactions on Power Electronics,2018, 33(6): 5274-5282.
5. Zhang, S. Y.,Feng*, S. W.,etal. (2017).Applied Physics Letters,110(22), 3721.
