基本情况

马啸尘，讲师，硕士生导师。本科就读于山东大学空间科学与物理学院后参加留学项目，硕士毕业于曼彻斯特大学物理学院，博士毕业于曼彻斯特大学电气电子工程学院。随后入职京东方科技集团股份有限公司首席技术官组织DBG CTO显示器件研究院工作。2020年8月加入到北京工业大学信息学部微电子学院。

研究方向

宽带隙氧化物半导体材料制备及器件性能研究，非晶氧化物显示传感器件研究，二维材料器件研究以及生物芯片研究。

科研项目

国家自然科学基金青年科学基金一项，校内科研项目一项

代表性成果

1.Yong Le;Xiaochen Ma*; Di Wang; Hongdi Xiao; Caina Luan; Biao Zhang; Jin Ma*, Heteroepitaxial growth of the d-Ta2O5 films on a-Al2O3 (0001),J Mater Sci: Mater Electron, 2022, 33: 1503-1510

2.Di Wang;Xiaochen Ma*; Rongrong Chen; Yong Le; Biao Zhang; Hongdi Xiao; Caina Luan; Jin Ma*, Solar-blind ultraviolet photodetectors based on Ta-doped β-Ga2O3 heteroepitaxial films,Optical Materials, 2022, 129: 112491

3.Yong Le;Xiaochen Ma*; Di Wang; Hongdi Xiao; Caina Luan; Biao Zhang; Jin Ma*, Heteroepitaxial growth of the orthorhombic Ta2O5 single-crystalline films on epi-GaN/α-Al2O3 (0001) substrates by MOCVD,Ceramics International, 2022, 48: 26800-26805

4.Xiaochen Ma; Jiawei Zhang; Wensi Cai; Hanbin Wang; Joshua Wilson; Qingpu Wang; Qian Xin; Aimin Song*, A sputtered silicon oxide electrolyte for high-performance thin-film transistors,Scientific Reports, 2017, 7: 809

5.Xiaochen Ma; Jiawei Zhang; Wensi Cai; Joshua Wilson; Aimin Song*, Low-frequency noise in electric double layer InGaZnO thin-film transistors gated with sputtered SiO2‑based electrolyte,ACS Applied Electronic Materials, 2019, 1(6): 972-976

部分授权专利

1)马啸尘;宁策;袁广才;李正亮;谷新;郭康;周雪原微纳流控芯片及其制造方法、微纳流控系统 2021.10.26 公开号（授权）CN113546698B

2)马啸尘;宁策;袁广才;谷新;郭康;周雪原;李正亮纳流体富集器件、其制作方法、富集方法及检测装置2021.10.26 公开号（授权）CN113546696B

3)马啸尘;袁广才;宁策;谷新;胡合合微流体通道结构及制作方法、微流体检测装置及使用方法 2020.05.12 公开号（授权）CN111135878B

4)马啸尘;袁广才;宁策;谷新;胡合合生物检测器件及其制备方法、芯片、生物分子的检测方法 2020.05.01 公开号（授权）CN111085280B

5)马啸尘;袁广才;宁策;刘松微通道结构、传感器、微流体装置、芯片实验室装置、以及制造微通道结构的方法 2020.04.10 公开号（授权）CN110997145B

6)马啸尘;袁广才;宁策;谷新;胡合合薄膜晶体管及其制造方法、器件、芯片及显示装置 2019.05.10 公开号（授权）CN109742155B

7)马啸尘;袁广才;宁策;胡合合;谷新一种薄膜晶体管及其制备方法、传感器 2018.12.21 公开号（授权）CN109060922B

8)马啸尘薄膜晶体管、传感器、生物检测装置和方法 2018.11.20 公开号（授权）CN108847424B