基本情况
胡冬青，女，1988年兰州大学理论物理专业毕业，2002年兰州大学凝聚态物理专业硕士毕业，2005年兰州大学微电子学与固体电子学专业博士毕业。1988-1999年在兰州交通大学工作，2005年至今，在北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室从事MOSFET、IGBT、FRD等新型功率半导体器件研究，期间2007年-2008年应邀到香港科技大学做访学，进行内透明集电区IGBT的合作研究；2015年-2016年应邀到台湾新竹交通大学做访学，开展SiC MOSFET相关的研究工作。现为北京工业大学信息学部副研究员，硕士研究生导师，"Applied Physics Letters"等多家学术期刊审稿人、电力电子与功率半导体领域国际会议评审专家。国家自然科学基金、浙江省自然科学基金、湖南省自然科学基金项目评审专家。
主要研究方向与成果
主要研究方向为功率半导体器件与功率集成电路
近几年，作为项目负责人主持国家自然科学基金面上项目、企业横向项目研究多项，涉及新型内透明集电极IGBT研制、军用和工业用VDMOSFET研发、IGBT系列产品研发、SiC MOSFET分析等。作为骨干成员参与总装预研项目、国家发改委项目、国家电网项目、企业横向项目20余项，涉及高压IGBT/高压逆导IGBT结构与制造技术研究、芯片可靠性和坚固性问题研究、抗辐照功率MOSFET设计与制造技术开发、SiC基功率MOSFET抗辐照性能研究、GaN HEMT可靠性研究、功率快恢复二极管FRD研制、智能功率模块研究等方面。发表学术论文几十篇，获北京市科技进步奖一项。
联系方式
Email：hudongqing@bjut.edu.cn Tel：010-67391639
