基本情况

苏金宝，男，工学博士，硕士研究生导师，信息科学技术学院电子科学技术系教师。主要从事氧化物半导体器件与光电子器件的研究，作为项目负责人主持北京市自然科学基金和北京市教委科技计划等项目，参与国家自然科学基金和美国国家科学基金会等项目，发表SCI论文20余篇。承担本科生课程《量子力学Ⅲ》和研究生课程《半导体光电子学》的教学工作，指导的学生获得北京工业大学“星火基金”重点资助和北京市高校人工智能创新大赛（工大赛）一等奖，2024年被评为北京工业大学立德树人优秀班主任。

教育经历

北京交通大学，电子科学与技术，博士

美国布朗大学，电子工程，联合培养博士

研究兴趣与招生方向

研究兴趣

1. 氧化物薄膜晶体管（TFT），氧化物半导体器件与材料；

2. 垂直腔面发射激光器（VCSEL），半导体光电子器件，集成电路工艺。

招生方向

0809电子科学与技术（学硕）

085403集成电路工程（专硕）

三、科研项目

1. 北京市自然科学基金青年项目，2024,主持，在研

2. 北京市教委科技计划一般项目，2024,主持，在研

3. 北京市博士后科研活动经费，2024,主持，在研

4. 北京工业大学科研启动基金，主持

5. 主持2项校级科研项目，参与2项国家自然科学基金面上项目、1项美国国家科学基金会（NSF）项目、1项市教委项目、2项校级科研项目和1项企业委托项目。

部分期刊论文

1.S Du,J Su^*, H Zhou, H Zhang, P Qiu, J Deng, Q Kan and Y Xie, Impact of Oxide Aperture on the Static and Dynamic Performance of 850-nm VCSELs,IEEE Photonics Technology Letters, vol. 36, no. 24, pp. 1453-1456, Dec. 2024.

2.J Su, H Yang, W Yang, X Zhang, Electrical characteristics of tungsten doped InZnSnO thin film transistors by RF magnetron sputtering,Journal of Vacuum Science & Technology B, vol. 40, no. pp. 032201, May. 2022.

3.J Su, H Yang, Y Ma, R Li, L Jia, D Liu, X Zhang, Annealing atmosphere-dependent electrical characteristics and bias stability of N-doped InZnSnO thin film transistors,Materials Science in Semiconductor Processing, vol. 113C, pp. 105040, Jul. 2020.

4.J Su, R Li, Y Ma, S Dai, Y Wang, H Yang, X Zhang,Annealing temperature effects on the structural and electrical properties of N-doped In-Zn-Sn-O thin film transistors,Journal of Alloys and Compounds, vol. 801, pp. 33-39, Sep. 2019.

5.J Su, Q Wang, Y Ma, R Li, S Dai, Y Wang, H Yang, X Zhang, Amorphous InZnO: Li/ZnSnO: Li dual-active-layer thin film transistors,Materials Research Bulletin, vol. 111, pp. 165-169, Mar. 2019.

6.J Su, Y Ma, H Yang, R Li, L Jia, D Liu, X Zhang, Electrical characteristics of Li and N co-doped amorphous InZnSnO thin film transistors,Journal of Vacuum Science & Technology A, vol. 37, no. 6, pp. 061511, Nov. 2019.

7.J Su, Y Wang, Y Ma, Q Wang, L Tian, S Dai, R Li, X Zhang, Y Wang, Preparation and electrical characteristics of N-doped In-Zn-Sn-O thin film transistors by radio frequency magnetron sputtering,Journal of Alloys and Compounds, vol. 750, pp. 1003-1006, Jun. 2018.

8.S Du,J Su, H Zhou, H Zhang, P Qiu, J Deng, Q Kan, Y Xie, Temperature-dependent characteristics of the high-speed 850nm VCSEL[C]//International Conference on Optoelectronic Information and Functional Materials (OIFM 2024). SPIE, vol. 13183, pp. 56-61,Jul. 2024.

9.H Yang,J Su, X Zhang, Influence of oxygen flow during sputtering process on the electrical properties of Ga-doped InZnSnO thin film transistor,Semiconductor Science and Technology,vol. 36, no. 4, pp. 045006, Apr. 2021.

10.H Yang, W Yang,J Su, X Zhang,Preparation and electrical characteristics of transparent thin film transistors with sputtered aluminum and phosphorus co-doped indium-zinc-oxide channel layer,Solid-State Electronics, vol. 208, pp. 108725, Oct. 2023.

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