基本情况

马啸尘，讲师，硕士生导师。本科就读于山东大学空间科学与物理学院后参加留学项目，硕士毕业于曼彻斯特大学物理学院，博士毕业于曼彻斯特大学电气电子工程学院。随后入职京东方科技集团股份有限公司首席技术官组织DBG CTO显示器件研究院工作。2020年8月加入到北京工业大学。

研究方向

宽带隙氧化物半导体材料制备及器件性能研究，非晶氧化物显示传感器件研究，二维材料器件研究以及生物芯片研究。

科研项目

主持国家自然科学基金青年科学基金一项

作为第二单位项目负责人主持京津冀协同创新项目一项

代表性成果

1.Xiaochen Ma; Yuanheng Li; Yong Le*; Biao Zhang，Hexagonal Ta2O5 (10 1 ‾ 0) single-crystalline films grown on LaAlO3 (010) substrates by MOCVD，Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 179(15): 108481

2.Biao Zhang;Xiaochen Ma*; HongYan Zhu; Caina Luan; Hongdi Xiao; Jin Ma*，Hexagonal ZnTiO3 single-crystalline films on α-Al2O3 substrates: Structural and photoelectric properties，Journal of Alloys and Compounds, 2024, 1008 (176757): 176757.

3.Biao Zhang;Xiaochen Ma*; HongYan Zhu; Hongdi Xiao; Jin Ma; Caina Luan*，High Crystalline Quality Ta-Doped hZnTiO3 Epitaxial Films: Characteristics and Application in UV Detectors，ACS Applied Electronic Materials, 2024, 6: 8413-8423

4.Yong Le;Xiaochen Ma*; Hongdi Xiao; Caina Luan; Biao Zhang; Jin Ma*，High performance UV photodetectors based on W doped δ- Ta2O5 single crystalline films，Appl. Phys. Lett., 2023, 122(2023): 252103

5.Yong Le;Xiaochen Ma*; Di Wang; Hongdi Xiao; Caina Luan; Biao Zhang; Jin Ma*，Heteroepitaxial growth of the orthorhombic Ta2O5 single-crystalline films on epi-GaN/α-Al2O3 (0001) substrates by MOCVD，Ceramics International, 2022, 48: 26800-26805

部分授权专利

1)马啸尘;宁策;袁广才;李正亮;谷新;郭康;周雪原微纳流控芯片及其制造方法、微纳流控系统 2021.10.26 公开号（授权）CN113546698B

2)马啸尘;宁策;袁广才;谷新;郭康;周雪原;李正亮纳流体富集器件、其制作方法、富集方法及检测装置2021.10.26 公开号（授权）CN113546696B

3)马啸尘;袁广才;宁策;谷新;胡合合微流体通道结构及制作方法、微流体检测装置及使用方法 2020.05.12 公开号（授权）CN111135878B

4)马啸尘;袁广才;宁策;谷新;胡合合生物检测器件及其制备方法、芯片、生物分子的检测方法 2020.05.01 公开号（授权）CN111085280B

5)马啸尘;袁广才;宁策;刘松微通道结构、传感器、微流体装置、芯片实验室装置、以及制造微通道结构的方法 2020.04.10 公开号（授权）CN110997145B

6)马啸尘;袁广才;宁策;谷新;胡合合薄膜晶体管及其制造方法、器件、芯片及显示装置 2019.05.10 公开号（授权）CN109742155B

7)马啸尘;袁广才;宁策;胡合合;谷新一种薄膜晶体管及其制备方法、传感器 2018.12.21 公开号（授权）CN109060922B

8)马啸尘薄膜晶体管、传感器、生物检测装置和方法 2018.11.20 公开号（授权）CN108847424B