个人简介

周新田，副教授，研究生导师。

主要从事功率半导体器件相关方向的研究工作，重点聚焦于宇航/军用功率半导体芯片研制及可靠性研究，主持并参与了国自然科学基金、国防科工局重点预研、共用信息系统装备预研，以及多项企事业单位委托项目，在国际顶级期刊TPE、EDL、TED等上发表多篇研究成果，申请授权发明专利多项。

教育简历

2007-2011 河北工业大学 电子科学与技术专业 学士

2011-2014 北京工业大学 微电子专业 硕士

2014-2018 清华大学 微纳电子系 博士

2018-2020 北京工业大学博士后

研究方向

1、功率半导体器件设计与制造

2、抗辐照加固功率半导体器件研制

3、宽禁带（SiC、GaN、Ga₂O₃）功率半导体器件可靠性研究

4、功率半导体器件解析建模

课程教学

本科生教学：电子技术实验-1

研究生教学：宽禁带功率半导体器件设计与制造

科研项目

共用信息系统装备预研

国家自然科学基金青年基金

中国博士后面上基金

北京市博士后基金

北京市朝阳区博士后基金

代表性研究成果

[1]X. Zhou, S. Zhang, M. Li,et al., "SiC Trench MOSFET With Embedded Schottky Super Barrier Rectifier for High Temperature Ruggedness,"IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 70, no. 11, pp. 5786-5794, Nov. 2023.

[1]X. Zhou, H. Pang, Y. Jia,et al., "Gate Oxide Damage of SiC MOSFETs Induced by Heavy-Ion Strike,"IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 8, pp. 4010-4015, Aug. 2021.

[2]X. Zhou, H. Pang, Y. Jia,et al.,"SiC Double-Trench MOSFETs with Embedded MOS-Channel Diode,"IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 2, pp. 582-587, Feb. 2020.

[3]X. Zhou, Y. Jia, D. Hu,et al.,"A Simulation-Based Comparison Between Si and SiC MOSFETs on Single-Event Burnout Susceptibility,"IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 6, pp. 2551-2556, June 2019.

[4]X. Zhou, Y. Tang, Y. Jia,et al.,"Single-Event Effects in SiC Double-Trench MOSFETs,"IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 66, no. 11, pp. 2312-2318, Nov. 2019.

[5]X. Zhou, H. Su, R. Yue,et al.,"A Deep Insight Into the Degradation of 1.2-kV 4H-SiC MOSFETs Under Repetitive Unclamped Inductive Switching Stresses,"IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 33, no. 6, pp. 5251-5261, June 2018.

[6]X. Zhou, R. Yue, J. Zhang,et al.,"4H-SiC Trench MOSFET With Floating/Grounded Junction Barrier-controlled Gate Structure,"IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 64, no. 11, pp. 4568-4574, Nov. 2017.

[7]X. Zhou, H. Su, Y. Wang,et al.,"Investigations on the Degradation of 1.2-kV 4H-SiC MOSFETs Under Repetitive Short-Circuit Tests,"IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 63, no. 11, pp. 4346-4351, Nov. 2016.

联系方式

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