安彤

职称职务:教授/博士研究生导师

E-mail:antong@bjut.edu.cn

基本信息

教育与工作经历

Ÿ2024年1月—今,北京工业大学数学统计学与力学学院电子封装技术与可靠性研究所,教授。

Ÿ2019年8月—2020年7月,英国诺丁汉大学,访问学者。

Ÿ2018年7月—2023年12月,北京工业大学材料与制造学部电子封装技术与可靠性研究所,副教授。

Ÿ2014年6月—2018年6月,北京工业大学机械工程与应用电子技术学院电子封装技术与可靠性研究所,讲师。

Ÿ2010年9月—2014年7月,北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,工程力学,工学博士。

研究方向

Ÿ学科领域:力学(固体力学,工程力学),电子科学与技术(器件封装技术与可靠性)。

Ÿ研究方向:先进制造中的力学问题;功率半导体器件封装技术与可靠性。

科研项目

Ÿ国家自然科学基金面上项目“基于微动损伤的压接型IGBT模块寿命预测方法研究”(12272013),2023.01-2026.12。

Ÿ国家自然科学基金面上项目“复杂工况下汽车级IGBT模块失效机理与寿命评估方法研究”(11872078),2019.01-2022.12。

Ÿ国家自然科学基金青年科学基金项目“功率半导体器件IGBT中Al金属化层损伤机理与疲劳寿命模型研究”(11502006),2016.01-2018.12。

Ÿ北京市自然科学基金面上项目“热、振及热振耦合条件下塑封球栅阵列封装(PBGA)焊点失效机理与疲劳寿命模型研究”(2182011),2018.01-2020.12。

Ÿ国家重点研发计划“增程式燃料电池轿车动力系统平台及整车集成技术”,课题一“面向产业化的增程式燃料电池轿车集成关键技术研究”任务“复杂工况下整车关键系统的结构安全分析”(2018YFB0105400),2018.06-2021.6。

代表性研究成果

近年来一直专注于功率器件先进封装技术与可靠性方面的研究,为功率器件的优化设计、寿命评估以及可靠性评价提供科学依据和分析模型。截至2024年2月,在力学、微电子封装技术以及电力电子类权威期刊发表期刊论文40余篇,国际会议论文30余篇。出版译著2部。授权美国发明专利2项,授权国家发明专利、软件著作权10余项。

Ÿ代表性SCI期刊论文:

[1]AN Tong*, LIZezheng, ZHANG Yakun,QIN Fei, WANG Liang, LIN Zhongkang, TANG Xinling, DAI Yanwei, GONG Yanpeng, CHEN Pei. The effect of the surface roughness characteristics of the contact interface on the thermal contact resistance of the PP-IGBT module.IEEE Transactions on Power Electronics. Jun. 2022, 37(6): 7286-7298. (中科院一区TOP,JCR分区Q1)

[2]ZHAO Jingyi,AN Tong*, FANG Chao, BIE Xiaorui, QIN Fei*, CHEN Pei, DAI Yanwei. A study on the effect of microstructure evolution of the aluminum metallization layer on its electrical performance during power cycling.IEEE Transactions on Power Electronics, Nov. 2019, 34(11): 11036-11045. (中科院一区TOP,JCR分区Q1)

[3]QIN Fei, BIE Xiaorui,AN Tong*, Jingru Dai, DAI Yanwei, CHEN Pei. A lifetime prediction method for IGBT modules considering the self-accelerating effect of bond wire damage.IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, Apr. 2021, 9(2): 2271-2284. (JCR分区Q1)

[4]AN Tong*, ZHENG Xueheng,QIN Fei,DAI Yanwei, GONG Yanpeng, CHEN Pei. Macro-mesoscale modeling of the evolution of the surface roughness of the Al metallization layer of an IGBT module during power cycling.Materials. Mar. 2023, 16(5): 1936. (JCR分区Q2)

[5]AN Tong*, ZHOU Rui,QIN Fei*, CHEN Pei,DAI Yanwei, GONG Yanpeng. Computational modeling of intergranular crack propagation in an intermetallic compound layer.CMES-Computer Modeling in Engineering & Sciences. 2023, 135(2): 1481-1502.(JCR分区Q2)

[6]AN Tong*, QIN Fei, CHEN Si, CHEN Pei. The effect of the diffusion creep behavior on the TSV-Cu protrusion morphology during annealing.Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Oct. 2018, 29(19): 16305-16316. (JCR分区Q2)

学校地址:北京市朝阳区平乐园100号
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