孟军华  

一、个人基本情况

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姓名:孟军华      性别:女               

职称:副教授      所在部门:凝聚态物理系                 

 

 

二、主要研究方向

1. 超宽禁带半导体材料、异质结及其光电器件

2. 钙钛矿材料与光电器件

3. 二维原子晶体材料与器件

 

三、教育与工作经

2019.11-            北京工业大学理学部,副教授/校聘教授

2017.07-2019.11       中科院半导体所,特别研究助理/博士后

2012.09-2017.06      中科院半导体所,材料物理与化学,博士

2008.09-2012.06      中国石油大学(华东),应用物理学,学士

 

四、主要科研项目

2021.01-2023.12  北京市自然科学基金面上项目,主持

2020.01-2022.12  国家自然科学基金青年项目,主持

2020.01-2024.12  北京工业大学高端人才计划项目,主持

2018.01-2019.12  北京市自然科学基金青年项目,主持

2018.05-2021.04  国家重点研发计划项目子课题,主持

2018.06-2019.11  中国博士后科学基金特别资助项目,主持

2017.11-2019.11  中国博士后科学基金面上项目,主持

 

五、代表性成果与荣誉

发表的论文:已发表SCI论文36篇,授权国家发明专利3项,近5年代表性论文如下:

1. Y. Wang, J. H. Meng*, Y. Tian, Y. N. Chen, G. K. Wang, Z. G. Yin, P. Jin, J. B. You, J. L. Wu and X. W. Zhang*, Deep ultraviolet photodetectors based on carbon-doped two-dimensional hexagonal boron nitride, ACS Appl. Mater. Interfaces 12, 27361 (2020).

2. L. K. Cheng, J. H. Meng*, X. J. Pan, Y. Lu, X. W. Zhang*, M. L. Gao, Z. G. Yin, D. G. Wang, Y. Wang, J. B. You, J. C. Zhang and E. Q. Xie, Two-dimensional hexagonal boron-carbon-nitrogen atomic layers, Nanoscale 11, 10454 (2019).

3. M. L. Gao, J. H. Meng*, Y. N. Chen, S. Y. Ye, Y. Wang, C. Y. Ding, Y. B. Li, Z. G. Yin, X. B. Zeng, P. Jin, J. B. You and X. W. Zhang*, Direct growth of two-dimensional hexagonal boron nitride few-layers on sapphire for deep ultraviolet photodetectors, J. Mater. Chem. C 9, 14999 (2019).

4. D. G. Wang, Y. Lu, J. H. Meng*, X. W. Zhang*, Z. G. Yin, M. L. Gao, Y. Wang, L. K. Cheng, J. B. You and J. C. Zhang, Remote heteroepitaxy of atomic layered hafnium disulfide on sapphire through hexagonal boron nitride, Nanoscale 11, 9310 (2019).

5. J. H. Meng, X. W. Zhang*, M. L. Gao, B. M. Ming, L. K. Cheng, Z. G. Yin, D. G. Wang, X. X. Li, J. B. You and R. Z. Wang, Controlled growth of unidirectionally aligned hexagonal boron nitride domains on single crystal Ni (111)/MgO thin films, Cryst. Growth Des. 19, 453 (2019).

6. J. H. Meng, X. W. Zhang*, Y. Wang, Z. G. Yin, H. Liu, J. Xia, H. L. Wang, J. B. You, P. Jin, D. G. Wang and X. M. Meng, Aligned growth of half-millimeter-size hexagonal boron nitride single-crystal domains on epitaxial nickel thin film, Small 13, 1604179 (2017).

7. J. H. Meng, X. Liu, X. W. Zhang*, Y. Zhang, H. L. Wang, Z. G. Yin, Y. Z. Zhang, H. Liu, J. B. You and H. Yan, Interface engineering for highly efficient graphene-on-silicon Schottky junction solar cells by introducing a h-BN interlayer, Nano Energy 28, 44 (2016).

出版的著作:

1. X. W. Zhang and J. H. Meng, Ultra-wide Bandgap Semiconductor Materials, Chapter 4: Recent progress of boron nitrides (~80 pages), Elsevier (2019).

所获的荣誉:

2019年入选北京工业大学高端人才队伍建设计划优秀人才

2018年获中国科学院优秀博士学位论文(百篇)

2017年获北京市优秀毕业生

2017年获中科院院长优秀奖

 

六、指导研究生

招收物理、材料、微电子等相关专业的硕士、博士研究生!

 

七、主讲课程

物理实验(工)

 

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