陈小青  

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【个人简介】

北京工业大学 信息学部助理研究员,硕士生导师

主要教育及工作经历:2006年毕业于复旦大学物理系获物理学学士学位,2013年毕业于复旦大学物理系获凝聚态物理专业博士学位,此后于复旦大学、瑞典林雪平大学和日本国立物质材料研究机构(NIMS)从事博士后研究工作。

所获荣誉:北京市海外高层次引进人才、朝阳区凤凰计划

目前研究方向:钙钛矿、低维半导体材料光电器件的器件设计、器件物理过程和性能损失机制(例如界面与缺陷诱导的载流子损失、响应速度等)。

欢迎具有微电子、物理等研究背景的学生与研究人员加入团队。

联系方式:chenxiaoqing@bjut.edu.cn

主要成果:

钙钛矿光电器件方面,是国内最早应用瞬态、调频电学方法进行钙钛矿光电器件载流子动力学分析的研究人员之一。通过改进测试系统,将关键测量指标(测试带宽、信噪比)提高一百倍左右;通过这一有力工具,首次提出金属/有机半导体界面能级排布对界面激子拆分方向的影响;首次提出可以分析钙钛矿离子的光诱导游离化过程及其俘获自由载流子过程的电学测量分析方法及相应数学公式,计算了其活化能,并指出光诱导的离子迁移是限制钙钛矿稳定性的关键因素之一。

低维半导体材料光电器件方面,首次直接制备并测量了准一维半导体KP15的光电探测器;首次提出了通过生长过程的原位热应力调控改善二维材料迁移率的方法;首次提出通过局域栅电极实现基于二维材料的同质结光电三极管的方法。

当前负责北京市教育委员会科技计划一般项目1项,参与国家自然科学基金重点及面上项目4项。目前已经在Nature Photonics SmallNano Research ACS Appl. Mater. InterfacesNanoscaleJ. Phys. Chem. CJ. Appl. Phys.Phys. Chem. Chem. Phys.等期刊发表SCI论文33篇,被引用1100余次,H因子13

近期部分论文:

1.        Modification of graphene photodetector by TiO2 prepared by oxygen plasma

Journal of Materials Science, accepted.

2.        Carrier mobility tuning of MoS2 by strain engineering in CVD growth process

Nano Research, (2020). https://doi.org/10.1007/s12274-020-3228-4

3.        Photoelectric Properties of Quasi One-dimensional Layered KP15

Materials Letters, 272, 127826 (2020)

4.        A tunable floating-base bipolar transistor based on a 2D material homojunction realized using a solid ionic dielectric material

Nanoscale 11, 22531-22538 (2019)

5.        Effect of Light and Voltage on Electrochemical Impedance Spectroscopy of Perovskite Solar Cells: An empirical Approach Based on Modified Randles Circuit

Journal of Physical Chemistry C 123, 3968-3978 (2019).

6.        Photocarrier Dynamics in Perovskite-based Solar Cells Revealed by Intensity-Modulated Photovoltage Spectroscopy

Physical Chemistry Chemical Physics 20, 17918-17926 (2018).

7.        Organic Molecule Assisted Growth of Perovskite Films Consisting of Square Grains by Surface-Confined Process

Nanomaterials, 11, 473 (2021)

8.        Transition metal dichalcogenides thyristor realized by solid ionic conductor gate induced doping

Applied Physics Letters 117, 053102 (2020)

9.        Strain Effect Enhanced Ultrasensitive MoS2 Nanoscroll Avalanche Photodetector

Journal of Physical Chemistry Letters, 11, 4490-4497 (2020)

10.    HighPerformance Photodiode Based on Atomically Thin WSe2/MoS2 Nanoscroll Integration

Small, 1901544 (2019).

11.    Enhanced Performance of a CVD MoS2 Photodetector by Chemical in Situ n-Type Doping

ACS Applied Materials & Interfaces, 11, 11636-11644 (2019).

12.    Self-Powered and Fast Photodetector Based on Graphene/MoSe2/Au Heterojunction

Superlattices and Microstructures 130, 87-92 (2019).


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