朱慧  

一、基本情况: 朱慧,女,博士,副教授,硕士生导师。 2003年毕业于中国矿业大学(北京)材料科学与工程专业,获得学士学位。同年赴英国剑桥大学学习,2004年毕业于剑桥大学材料专业,获得硕士学位,2010年毕业于剑桥大学电子工程专业,获得博士学位。2011年至今在北京工业大学工作。

 

二、主要研究方向:新型微电子器件的性能表征与机理研究,新型非挥发性存储器。

 

三、主持科研项目:主持国家自然科学基金、北京市自然科学基金、教育部博士点学科专项科研基金、教育部留学回国人员科研启动基金、北京市教育委员会科技计划一般项目等多个科研项目。1、铁电薄膜应用于铁电随机存储器的失效机理研究,国家自然科学基金青年项目,2013-2015;2、GaN HEMT 中的残余应力以及应力对器件性能的影响,北京市自然科学基金面上项目,2012-2014;3、铁电薄膜应用于铁电随机存储器的失效机理研究,2013-2015,教育部博士点学科专项科研基金;4、铁电薄膜应用于铁电随机存储器的失效机理研究,教育部留学回国人员科研启动基金,2013-2015;5、应力对于铁电薄膜电学性能影响的研究,北京市教育委员会科技计划面上项目,2016-2017;6、AlGaN/GaN HEMT 的应力效应及其影响机理的研究,北京市自然科学基金面上项目,2016-2018;7、柔性显示中薄膜晶体管的单轴与双轴应力效应及作用机理研究,北京市自然科学基金面上项目,2020-2022。

 

四、近五年代表性科研论文:1. Effect of uniaxial tensile strains at different orientations on the characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors, H. Zhu, C. Wang, et al., IEEE Transactions on Electron Devices, 67: 449 (2020); 2. Modulation of the resistive switching of BiFeO3 thin films through electrical stressing, Y. Yang, H. Zhu, et al., Journal of Applied Physics D: Applied Physics, 53: 115301 (2020); 3. A current transient method for trap analysis in resistance switching of BiFeO3 thin films, H. Zhu, Y. Yang, et al., Applied Physics Letters, 112: 182904 (2018); 4. Effect of substrate thinning on the electronic transport characteristics of AlGaN/GaN HEMTs, H. Zhu, X. Meng, et al., Solid State Electronics, 145: 40 (2018); 5. Fatigue behavior of resistive switching in a BiFeO3 thin film, H. Zhu, Y. Yang, et al., Japanese Journal of Applied Physics, 57: 041501, (2018); 6. Effect of poling process on resistive switching in Au/BiFeO3/SrRuO3 structures, H. Zhu, Y. Zhang, et al., Applied Physics Letters 109, 252901 (2016); 7. Investigation of fatigue behavior of Pb(Zr0.45Ti0.55)O3 thin films, H. Zhu, Y. Chen, et al., Japanese Journal of Applied Physics 55, 091501 (2016); 8. The effect of external stress on the electrical characteristics AlGaN/GaN HEMTs, K. Liu, H. Zhu, et al., Microelectronics Reliability 55, 886 (2015); 9. The effect of external stress on the properties of AlGaAs/GaAs single quantum well laser diodes, H. Zhu, K. Liu, et al., Microelectronics Reliability 55, 62 (2015).

 

五、联系方式:电话:010-67396955,E-mail: zhuhui@bjut.edu.cn,地址:北京市朝阳区平乐园100号 北京工业大学电子信息与控制工程学院(邮编100124)

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