张小玲  

一、基本情况 

 

张小玲 副教授。1998年毕业于沈阳工业大学微电子与固体电子学专业,获硕士学位,同年在北京工业大学电控学院担任教学和科研工作。2006年毕业于北京工业大学微电子与固体电子学专业,获工学博士学位。曾赴英国伯明翰大学学习。

 

二、主要研究方向:

 

半导体器件、集成电路热特性的研究;电子元器件、集成电路可靠性及加速寿命试验的研究;GaN基高电子迁移率晶体管等新器件的设计及制造。

 

三、目前承担的主要科研项目和教学任务

 

     面向本科生:《半导体可靠性技术》《计算机软件基础》

 

     面向研究生:《微电子器件可靠性物理》

 

四、在研课题:

 

军用半导体分立器件加速寿命试验新方法的应用研究;

 

军用半导体器件的长期贮存的加速实验方法的研究;

 

遥测自动测试系统的研究

 

五、科研成果

 

在国内外核心学术刊物上共发表论文四十余篇。

 

1Zhang Xiaoling, Li Fei, et al. High-temperature characteristics of AlxGa1-xN /GaN Schottky diodes. Journal of Semiconductors2009303P 034001-1 EIEI收录号:20091712051382

 

2张小玲,吕长志,谢雪松等。Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性。 北京工业大学学报2008年第34卷,第4 EI收录号:20082311303024

 

3张小玲,吕长志,谢雪松等。AlGaN/GaN HEMTs 器件研制。《半导体学报》,2003年,第24卷,第8期,P847EI收录号:2004078020810

 

4张小玲,吕长志,谢雪松等。跨导为220mS/mmAlGaN/GaN HEMT。《固体电子学研究与进展》,2004年,第24卷,第2期,P209EI收录号:2004398378429

 

5张小玲,谢雪松,吕长志等。AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性。《微电子学与计算机》,2004年,第21卷,第7期,P171

 

六、联系方式: 

 

    北京工业大学电子信息与控制工程学院  邮编100124

 

 E-mail: zhangxiaoling@bjut.edu.cn Tel: 67392125

北京工业大学研究生招生办公室 地址:北京市朝阳区平乐园100号 邮政编码:100124 联系电话:010-67392533