邢艳辉  

基本情况
邢艳辉,女,1974年出生,博士,副教授,硕士生导师。2001年4月,毕业于长春理工大学光学工程专业,获硕士学位;2008年6月毕业北京工业大学,微电子学与固体电子学专业,获博士学位。
主要从事半导体材料和器件的研究及教学工作
主要研究方向:
GaN基材料制备与测试分析,新型LED器件研究,GaN基增强型HEMT器件的研制和应用等。
主持和承担国家自然科学基金,北京市自然科学基金,承担和企业合作的北京市科委的项目。参加科研基地建设项目、科技成果转化提升计划项目、以及北京市教委、科委等课题的研究。作为骨干参与高亮度红光LED技术成功转让项目,获得北京市科学技术一等奖1项。发表SCI与EI检索论文50余篇。培养硕士毕业论文连续获得北京工业大学优秀毕业论文,北京市优秀毕业生。

SCI收录代表性论文:
1.Wang Kai,Yanhui Xing*, Jun Han et al. Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 671:435-439.    
2.Zhao Kangkang,Yanhui Xing*,Jun Han et al. Magnetic transport property of NiFe/WSe2/NiFe spin-valve structure[J] Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2017,432:10-13
3.Xing Yanhui*, Han Jun, Deng Jun et al, Investigation of GaN layer grown on different low misoriented sapphire by MOCVD,[J]Applied Surface Science  255 (3) :6121 -6124
4.Xing Yanhui*, Han Jun, Deng Jun, et al, Interrupted Mg doping of GaN with MOCVD for improved p-type layers.  [J]Vaccum  ,82(9):1-4
5.王凯,邢艳辉*,韩军,. 掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究[J]. 物理学报,2016,65(1): 016802.
6.邢艳辉*, 韩军,邓军等,p型GaN低温粗化提高发光二极管特性 [J]物理学报 59(2):1233-1236

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