冯士维  

冯士维,博士,教授/博导,现任北京工业大学信息学部副主任,电子科学与技术学院(微电子学院)院长。于1983年、1986年分别获吉林大学理学学士、硕士学位。1986年任教于北京工业大学至今。1999年获北京工业大学工学博士学位。2000年至2002年先后在美国Howard大学和Rutgers大学作博士后研究。国家科技部国际合作项目评审专家,IEEE Spectrum(中文版)编委,总装备部微波毫米波器件重点实验室学术委员,IEEE Electron Device Letter,IEEE Trans. Electron Devices,“物理快报”等多家学术刊物审稿人。入选北京市科技新星计划、“百千万人才工程”国家级人选、享受国务院政府特殊津贴,北京市教学名师,曾获评北京市优秀青年教师。获得中国电子学会技术发明二等奖1项;北京市科技进步奖二等奖2项、三等奖1项;电子工业部科技进步奖三等奖1项;荣获北京市教育教学成果一等奖2项、二等奖1项。发表科学论文120余篇,其中SCI论文50余篇,授权发明专利25项。译著:《半导体器件电子学》(第2译者),《低成本倒装焊技术》(第1译者)。

近五年内,作为负责人承担和在研的国家自然科学基金项目4项、北京市教委重点项目1项、北京市自然科学基金2项、北京市科技研发专项1项,总装基金项目1项(课题负责人),企事业委托项目15项。

主要研究方向:

微电子器件及光电子器件可靠性物理:研究半导体器件包括GaN HEMT,SiC功率器件;Si基功率器件的失效机理研究,以及航天高可靠性应用的关键器件寿命预测技术。微电子器件及系统热可靠性评价关键技术:无损半导体器件瞬态温升及热阻测试技术研究,以及商用测试仪的开发等。新型半导体器件制备与特性研究:GaN 基HEMT器件设计与性能改进技术研究;InGaAs 红外探测器阵列研究;ZnO紫外探测器研究等。集成电路(FPGA等)在线无损温度测量技术研究:利用构建内在门电路作为测温传感器,无损、在线获取集成电路温度分布的相关技术研究,功率器件的在线温升测试技术研究。

近3年5篇代表性论文:(一作为本人指导的研究生)

1. Zheng X, Feng* S, et al, Evidence of GaN HEMT Schottky Gate Degradation After Gamma Irradiation. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66: 3784-3788.

2Zheng X, Feng* S, et al,Photocurrents in GaN-based HEMTs: Theoretical model and experimental results , Applied Physics Letters, 2019, 21: 213505-213508.

3. Bangbing Shi, Shiwei Feng*, Yamin Zhang, Kun Bai, Yuxuan Xiao, Lei Shi, Hui Zhu, Chunsheng Guo. Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base-Collector Voltage Drop at Low Current. IEEE Transaction on Power Electronics, 2019, 34(10): 10136-10142.

4. Shi B, Feng* S, Shi L, et al. Junction Temperature Measurement Method for Power mosfets Using Turn-On Delay of Impulse Signal[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2018, 33(6): 5274-5282.

5. Zhang, S. Y., Feng*, S. W.,etal. (2017). Applied Physics Letters,110(22), 3721.

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