代岩伟  

代岩伟  副教授/硕士生导师

个人简介

代岩伟,男,博士、副教授、硕士生导师。主要研究方向为电子封装技术与可靠性、断裂力学及蠕变力学,主要包括电子封装技术中的关键力学问题、先进封装材料物理力学性能测试与表征、高温蠕变断裂理论及高温结构完整性评估方法等。与国外多个本领域国际知名研究团队建立了稳定的国际合作关系。入选北京市科协青年人才托举工程。担任2021 IEEE 国际电子封装技术大会Quality & Reliability技术分委员会成员和近十份国际知名SCI期刊的审稿人。招考方向:①学硕-02固体力学、04工程力学;②专硕-04高端装备强度与动态分析。欢迎对集成电路领域电子封装技术与可靠性、固体力学或断裂力学有学习兴趣,且人品正直、有学术追求的同学报考。

联系方式:ywdai@bjut.edu.cn 地址:北京工业大学西校区基础楼305

ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-2636-772X

个人履历

2011年本科毕业于武汉理工大学工程力学专业,获工学学士学位;

2013年硕士毕业于中国农业大学固体力学专业,获工学硕士学位;

2018年博士毕业于清华大学力学专业,获工学博士学位;

20186月至20209月为北京工业大学力学博士后流动站博士后(师资);

20197月至20207月为北京工业大学机电学院讲师;

20202月至今为北京工业大学材料与制造学部硕士生导师;

20207月至今为北京工业大学材料与制造学部副教授;

承担的科研项目

1)   国家自然科学基金青年项目,批准号:11902009,SiC器件烧结纳米银焊层蠕变断裂机理及寿命预测模型研究,在研,主持。

2)      北京市自然科学基金青年项目,批准号:2204074SiC器件封装用 CNT 增强烧结纳米银焊层高温疲劳断裂机理研究,在研,主持。

3)      北京市教育委员会科技计划一般项目,批准号:KM202010005034,基于微结构的烧结纳米银高温疲劳损伤机理研究,在研,主持。

4)      中国航天科技集团第七七一研究所,横向课题,XXXXXXXX,在研,主持。

5)      工业和信息化部电子第五研究所,横向课题,微系统的多物理场耦合仿真方法研究,在研,主持。

6)      中国博士后基金面上项目,编号:2019M650403SiC 器件烧结纳米银焊层脱粘机理研究,已结题,主持。

7)      朝阳区博士后经费资助项目,编号:2019ZZ-47,烧结纳米银传热性能的理论、实验与数值模拟研究,已结题,主持。

8)      中国工程物理研究院电子工程研究所,横向课题,SiP主要焊接结构疲劳寿命测试,已结题,主持。

代表性期刊论文

(A) 固体力学和断裂力学方向

1.       Dai YW, Qin F, Liu YH, Chao YJ. On the second order term asymptotic solution for sharp V-notch tip field in elasto-viscoplastic solids. International Journal of Solids and Structures, 2021, 217–218, 106-122.

2.       Dai YW, Luca Susmel, Qin F. Sharp V-notches in viscoplastic solids: Strain energy rate density rule and fracture toughness. Fatigue & Fracture of Engineering Materials & Structures, 2021; 44:28–42.

3.       Dai YW, Liu YH, Qin F, Chao YJ, Chen HF. Constraint modified time dependent failure assessment diagram (TDFAD) based on C(t)-A2(t) theory for creep crack. International Journal of Mechanical Sciences, 2020, 165, 105193.

4.       Dai YW, Liu YH, Qin F, Chao YJ, Berto F. Estimation of stress field for sharp V-notch in power-law creeping solids: An asymptotic viewpoint. International Journal of Solids and Structures, 2019, 180-181, 189-204.

5.       Dai YW, Liu YH, Qin F, Chao YJ. Notch stress intensity factor and C-integral evaluation for sharp V-notch in power-law creeping solids. Engineering Fracture Mechanics, 2019, 222, 106709.

6.       Dai YW, Liu YH, Chao YJ. Higher order asymptotic analysis of crack tip fields under mode II creeping conditions. International Journal of Solids and Structures, 2017, 125, 89-107.

7.       Dai YW, Liu DH, Liu YH. Mismatch constraint effect of creep crack with modified boundary layer model. Journal of Applied Mechanics-Transactions of the ASME, 2016, 83(3), 031008.

(B) 集成电路电子封装方向

8.       Dai YW, Zhang M, Qin F, Chen P, An T. Effect of silicon anisotropy on interfacial fracture for three dimensional through-silicon-via (TSV) under thermal loading. Engineering Fracture Mechanics, 2019, 209, 274-300.

9.       Qin F, Zhang M, Dai YW*, Chen P, An T, He HW, Zhang H, Zheng JT. Optimization of TSV interconnects and BEOL layers under annealing process through fracture evaluation. Fatigue & Fracture of Engineering Materials &Structures, 2020, 43:1433–1445.

10.    Qin F, Zhao S, Dai YW*, Yang MK, Xiang M, Yu DQ. Study of warpage evolution and control for six-side molded WLCSP in different packaging processes. IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 2020, 10(4): 730-738.

11.    Qin F, Hu YK, Dai YW*, An T, Chen P, Gong YP, Yu HP. Crack effect on the equivalent thermal conductivity of porously sintered silver. Journal of Electronic Materials. 2020, 49, 5994–6008.

12.    Qin F, Hu YK, Dai YW*, Chen P, An T. Evaluation of thermal conductivity for sintered silver considering aging effect with microstructure based model. Microelectronics Reliability. 2020, 108:113633.


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