安彤  

安彤,1983年生于北京,北京工业大学机械工程与应用电子技术学院力学系,博士/副教授

教育与工作经历

  • 2002年9月—2006年7月,北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,安全工程专业,工学学士。

  • 20069月—20097月,北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,固体力学专业,工学硕士。

  • 20109月—20147月,北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,工程力学,工学博士。

  • 20146月—20186月,北京工业大学机械工程与应用电子技术学院力学系,讲师。

  • 20186月—今,北京工业大学机械工程与应用电子技术学院力学系,副教授。

研究方向

  • 学科领域:力学(固体力学,工程力学),电子科学与技术(器件封装技术与可靠性)。

  • 研究方向:先进制造中的力学问题;先进电子封装技术与可靠性。

承担科研项目

  • 国家自然科学基金面上项目“复杂工况下汽车级IGBT模块失效机理与寿命评估方法研究”(11872078),2019.01-2022.12

  • 国家自然科学基金青年科学基金项目“功率半导体器件IGBTAl金属化层损伤机理与疲劳寿命模型研究”(11502006),2016.01-2018.12

  • 北京市自然科学基金面上项目“热、振及热振耦合条件下塑封球栅阵列封装(PBGA)焊点失效机理与疲劳寿命模型研究”(2182011),2018.01-2020.12

  • 国家重点研发计划“增程式燃料电池轿车动力系统平台及整车集成技术”,课题一“面向产业化的增程式燃料电池轿车集成关键技术研究”任务“复杂工况下整车关键系统的结构安全分析”(2018YFB0105400),2018.06-2021.6

  • 中国航空综合技术研究所合作项目“电子封装互连可靠性测试与寿命模型研究”,2014.01-2016.12

  • 工业和信息化部电子第五研究所“倒装焊封装中关键结构失效分析与可靠性评价方法”,2018.10.1-2019.10.1

  • 中国博士后科学基金面上项目“三维电子封装关键结构TSV-Cu胀出行为研究”(2015M570018),2015.06-2016.05

  • 朝阳区博士后科研资助项目“热振耦合条件下塑封球栅阵列封装疲劳可靠性分析方法研究”(2014ZZ-06),2014.11-2015.11

代表性研究成果

截至20193月,在力学、微电子封装技术类权威期刊发表期刊论文20余篇,国际会议论文30余篇。出版译著2部。已申请或授权专利、软件著作权10余项。

  • 出版译著:

  1. 秦飞,安彤,朱文辉,曹立强译. 可靠性物理与工程. 北京:科学出版社, 201311月第1. 书号:ISBN97870388247. (32万字)

  2. 秦飞, 别晓锐, 安彤. 先进倒装芯片封装技术. 北京: 化学工业出版社, 20172月第1. 书号: ISBN9787122276834. (62.8万字)

  • 代表性SCI期刊论文:

  1. Zhao Jingyi, AnTong*, Fang Chao, Bie Xiaorui, Qin Fei*, Chen Pei, Dai Yanwei. Astudy on the effect of microstructure evolution of the aluminum metallizationlayer on its electrical performance during power cycling. IEEE Transaction on Power Electronics, 2019, DOI:10.1109/TPEL.2019.2895695 (Top期刊, 影响因子6.812)

  2. An Tong*, Qin Fei, Chen Si, ChenPei. The effect of the diffusion creep behavior on the TSV-Cu protrusionmorphology during annealing. Journal ofMaterials Science: Materials in Electronics, 2018, 29(19): 16305-16316.

  3. An Tong*, Fang Chao, Qin Fei, Li Huaicheng, TangTao, Chen Pei. Failure study of Sn37Pb PBGA solder joints using temperaturecycling, random vibration and combined temperature cycling and random vibrationtests. Microelectronics Reliability, 2018, 91: 213-226.

  4. AnTong*, Qin Fei. Relationship between the intermetalliccompounds growth and the microcracking behavior of lead-free solder joints. Transactions of the ASME, Journal ofElectronic Packaging, 2016, 138: 011002 (10 pages).

  5. Chen Si, An Tong*,Qin Fei, Chen Pei. Microstructure evolution and protrusion of electroplated Cufilled in through silicon vias subjected to thermal cyclic loading. Journal of Electronic Materials, 2017, 46(10):5916-5932. (被评为美国TMS协会FMD/JEM 2017年度最佳论文)

  6. An Tong, Qin Fei*. Intergranularcracking simulation of the intermetallic compound layer in solder joints. Computational Materials Science, 2013,79: 1-14.

  7. An Tong, Qin Fei*. Effects of theintermetallic compound microstructure on the tensile behavior ofSn3.0Ag0.5Cu/Cu solder joint under various strain rates. Microelectronics Reliability, 2014, 54(5): 932-938.

  8. An Tong, Qin Fei*, Xia Guofeng.Analytical solutions and a numerical approach for diffusion-induced stresses inintermetallic compound layers of solder joints. Transactions of the ASME, Journal of Electronic Packaging, 2014,136: 011001 (8 pages).

  9. An Tong, Qin Fei*, Li Jiangang.Mechanical behavior of solder joints under dynamic four-point impact bending. Microelectronics Reliability, 2011,51(5): 1011-1019.

  10. An Tong, Qin Fei*. Cracking of theintermetallic compound layer in solder joints under drop impact loading. Transactions of the ASME, Journal ofElectronic Packaging, 2011, 133(3): 031004 (7 pages).

  11. Qin Fei*, An Tong, Chen Na. Strain rate effects and rate-dependentconstitutive models of lead-based and lead-free solders. Transactions of the ASME, Journal of Applied Mechanics, 2010,77(1): 011008 (11 pages).

  12. Qin Fei*, An Tong, Chen Na, Bai Jie. Tensile behaviors oflead-containing and lead-free solders at high strain rates. Transactions of the ASME, Journal ofElectronic Packaging. 2009, 131(3): 031001 (6 pages).

  • 代表性EI期刊论文:

  1. 安彤, 秦飞. 焊锡接点金属间化合物晶间裂纹的内聚力模拟. 力学学报, 2013, 45(6): 936-947.

  2. 秦飞, 安彤. 焊锡材料的应变率效应及其材料模型. 力学学报, 2010, 42(3): 439-447.

  3. 安彤, 秦飞, 武伟, 于大全, 万里兮, 王珺. TSV转接板硅通孔的热应力分析. 工程力学, 2013, 30(7): 262-269.

  4. 安彤, 秦飞, 王晓亮. 应变率对无铅焊锡接点力学行为的影响. 焊接学报, 2013, 34(10): 59-62.

  5. 秦飞, 安彤, 仲伟旭, 刘程艳. 无铅焊点金属间化合物的纳米压痕力学性能. 焊接学报, 2013, 34(1): 25-28.

  6. 秦飞, 安彤, 夏国峰. 焊锡接点IMC层的扩散应力. 固体力学学报, 2012, 33(2): 162-167.

  7. 安彤, 秦飞. 跌落冲击载荷下焊锡接点金属间化合物层的动态开裂. 固体力学学报, 2013, 34(2): 117-124.

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